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BJT 전압분배 바이어스 계산기

전압분배(voltage-divider) 방식 BJT 회로의 동작점(Q-point)을 계산합니다. Vcc·R1·R2·Rc·Re·β를 넣으면 베이스·컬렉터·이미터 전압과 전류, Vce가 나오고 포화 여부도 함께 확인합니다.

Vce (컬렉터-이미터 전압)

6.199V

활성영역으로 추정됩니다

Vth (테브난 전압)2.824V
Rth (테브난 저항)9,176Ω
Ib19.3µA
Ic1.927mA
Ie1.947mA
Vb (베이스 전압)2.647V
Vc (컬렉터 전압)8.145V
Ve (이미터 전압)1.947V
Ib=(Vth−Vbe)/(Rth+(β+1)·Re)로 근사 없이 계산합니다(Vth=Vcc·R2/(R1+R2), Rth=R1∥R2). 활성영역(Vce가 충분히 큰 상태)을 전제로 한 직류 동작점이며, 온도에 따른 Vbe·β 변화나 교류 신호 증폭 특성은 다루지 않습니다.

계산 방법

  1. 1Vcc(공급전압)와 베이스 전압분배 저항 R1(Vcc측)·R2(접지측)를 넣습니다.
  2. 2컬렉터 저항 Rc와 이미터 저항 Re를 넣습니다.
  3. 3트랜지스터의 전류증폭률 β(hFE)와 베이스-이미터 전압(보통 실리콘 0.7V)을 넣으면 동작점이 나옵니다.

자주 묻는 질문

먼저 R1·R2를 테브난 등가로 바꿉니다 — Vth=Vcc·R2/(R1+R2), Rth=R1·R2/(R1+R2). 베이스-이미터 루프에 KVL을 적용하면 Ib=(Vth−Vbe)/(Rth+(β+1)·Re)가 나오고, 여기서 Ic=β·Ib, Ie=(β+1)·Ib로 이어집니다. 마지막으로 Vce=Vcc−Ic·Rc−Ie·Re로 컬렉터-이미터 전압을 구합니다.

같은 모델의 트랜지스터라도 β(전류증폭률)는 부품마다 2~3배까지 벌어질 수 있습니다. 전압분배 바이어스는 이미터 저항(Re)의 음성 되먹임 덕분에 β가 크게 달라져도 동작점(Ic, Vce)이 비교적 안정적으로 유지되어, 가장 널리 쓰이는 바이어스 방식입니다.

흔히 보이는 근사식은 Ie≈Ic로 두고 Ic=(Vth−Vbe)/(Re+Rth/β)로 계산합니다. 이 계산기는 근사 없이 Ie=(β+1)·Ib를 그대로 대입한 정확한 식을 씁니다. β가 크면(100 이상) 두 식의 차이가 1% 안팎으로 작아지지만, β가 작을수록 차이가 벌어집니다.

계산된 Vce가 약 0.2V(전형적인 포화전압) 아래로 나오면, 트랜지스터가 이미 포화 영역에 들어가 있다는 뜻입니다. 이 계산기의 선형식은 활성 영역(Vce가 충분히 큰 상태)을 전제로 하므로, 포화 상태에서는 실제 Ic·Vce가 이 계산값과 달라집니다. Rc를 줄이거나 Vcc를 늘려 다시 확인하세요.

Vth(=Vcc·R2/(R1+R2))가 Vbe보다 작거나 비슷하면 트랜지스터를 켤 만큼의 베이스 전압이 안 나온다는 뜻입니다. Vcc를 늘리거나 R2를 키우거나(또는 R1을 줄여) Vth를 Vbe보다 충분히 크게 만들어야 합니다.

알아두면 좋은 점

  • 활성(active) 영역을 전제로 한 직류(DC) 동작점 계산입니다. 신호 증폭 특성(교류 이득)은 다루지 않습니다.
  • 온도에 따른 Vbe·β 변화는 반영하지 않습니다. 데이터시트의 상온(25℃) 전형값 기준입니다.

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마지막 검증: 2026년 9월 6일 · 결과는 참고용 추정치입니다.