도구스학업·수학

다이오드 방정식 계산기

쇼클리 다이오드 방정식 I = I_S(e^(V/nV_T) − 1)으로 전류를 계산합니다. 전류에서 전압을 거꾸로 구하는 것도 가능합니다.

nA

일반 실리콘 다이오드는 보통 1nA 안팎, 데이터시트 값을 넣으면 더 정확합니다.

이상적인 다이오드는 1, 실제 실리콘 다이오드는 보통 1~2 사이입니다.

°C
V

음수를 넣으면 역방향 전압입니다.

다이오드 전류

57.73 mA

열전압 V_T = 25.693mV (298.15K 기준)

열전압 V_T = kT/q25.6926mV
이상계수 n1.5
역포화전류 I_S10 nA
전류 I57.73 mA
I = I_S(e^(V/nV_T) − 1) 이 쇼클리 다이오드 방정식입니다. V_T=kT/q는 볼츠만 상수와 전기소량이 2019년 SI 재정의로 정확한 값이라 온도만 정해지면 정확히 계산됩니다 — 상온(300K)에서 약 25.85mV로, 흔히 어림잡아 쓰는 “26mV”의 근거입니다.
지수함수라 전압이 조금만 커져도 전류가 급격히 늘어납니다. 반대로 전압이 음수로 충분히 크면(역방향) e 항이 0에 가까워져 전류는 −I_S로 포화됩니다 — “역포화전류”라는 이름의 유래입니다. 실제 항복(브레이크다운) 현상은 이 식에 포함되지 않습니다.

계산 방법

  1. 1역포화전류(I_S)와 이상계수(n), 온도를 입력합니다.
  2. 2전압을 넣으면 전류가, 전류를 넣으면 전압이 계산됩니다.
  3. 3열전압(V_T)과 함께 계산 과정을 확인합니다.

자주 묻는 질문

I = I_S(e^(V/nV_T) − 1)입니다. I_S는 역포화전류, n은 이상계수(1~2), V_T는 열전압(V_T=kT/q)으로, 반도체 다이오드의 전류-전압 관계를 나타내는 가장 기본적인 식입니다.

V_T = kT/q입니다. k(볼츠만 상수)와 q(전기소량)는 2019년 SI 재정의로 정확한 값이라 온도만 정해지면 V_T도 정확히 계산됩니다. 상온(300K) 기준 약 25.85mV로, 흔히 어림잡아 쓰는 26mV의 근거입니다.

이상적인 다이오드는 n=1이지만, 실제 실리콘 다이오드는 재결합 전류가 섞여 보통 1~2 사이의 값을 갖습니다. n이 클수록 같은 전압에서 전류가 더 완만하게 늘어납니다.

네, V = n·V_T·ln(I/I_S + 1)로 바로 풀립니다. 단, 이는 저항 없이 다이오드 하나만 전압원에 물린 경우이며, 직렬저항이 함께 있는 회로는 램버트 W 함수가 필요해 edu/lambert-w 도구로 넘어갑니다.

전송되지 않습니다. 모든 계산은 브라우저 안에서 이뤄지고, 입력값은 이 기기에만 남습니다.

알아두면 좋은 점

  • 순방향 전압이 크게 들어오면 지수함수 특성상 전류가 부동소수점 표현 범위를 넘어설 수 있습니다(무한대로 표시).
  • 이 식은 이상적인 pn 접합 하나만을 가정합니다. 실제 소자의 직렬저항·접합용량·항복전압 등은 반영하지 않습니다.
  • 역포화전류(I_S)는 소자마다 크게 달라(보통 1pA~1μA 수준) 데이터시트 값을 넣어야 정확합니다.

함께 보면 좋은 도구

마지막 검증: 2026년 9월 3일 · 결과는 참고용 추정치입니다.