도구스학업·수학

홀–페치(결정립 크기와 항복강도) 계산기

σy = σ₀ + k/√d로 평균 결정립 지름에서 항복강도를 냅니다. 결정립을 절반으로 줄이면 강화분이 √2배가 되는 것을 표로 보이고, ASTM 결정립도 번호 환산과 나노 영역의 역-홀페치 한계까지 함께 짚습니다.

MPa

격자 마찰·고용·석출강화의 합

MPa·µm^½

재료마다 다릅니다

µm
MPa

넣으면 그 강도를 내는 데 필요한 결정립 크기가 나옵니다. 0이면 건너뜁니다.

항복강도 σy

220 MPa

σ₀ 100MPa에 결정립 경계가 120MPa(전체의 54.5%)를 보탠 값입니다. ASTM 결정립도 번호로는 7.7번, 단위면적당 1,600개/mm²입니다.

항복강도 σy220 MPa
결정립 경계가 보탠 몫 k/√d120 MPa
그 몫이 차지하는 비중54.5 %
ASTM 결정립도 번호7.69
단위면적당 결정립 수1,600 개/mm²
k를 MPa·m^½로 쓰면0.6
결정립을 절반으로 줄이면269.7 MPa

결정립 크기에 따라

d (µm)ASTMk/√dσy (MPa)지금 대비
10nm30.36,0006,10027.727
100nm23.61,897.41,997.49.079
1176007003.182
512.3268.3368.31.674
1010.3189.7289.71.317
505.784.9184.90.84
1003.7601600.727
500-126.8126.80.577
1,000-3191190.541

⚠ 표시한 줄은 역-홀페치 영역(20nm 아래)이라 식이 맞지 않습니다. 결정립을 절반으로 줄이면 강화분이 √2 = 1.414배가 됩니다.

계산 근거σy = σ₀ + k/√d = 100 + 600/√25 = 100 + 120 = 220 MPaASTM: 2^(G−1) = (1/d²)×0.064516 → G = 7.69 (G=7이면 d=31.75µm)
왜 √d인가 — 소성변형은 전위가 미끄러지며 일어나는데 결정립계가 그것을 막습니다. 전위들이 경계 앞에 줄지어 쌓이면 그 쌓임이 옆 결정립에 응력을 밀어 넣어 결국 항복시키는데, 쌓이는 전위 수가 결정립 크기에 비례하므로 항복에 필요한 외부 응력이 1/√d로 나옵니다.
강도와 인성을 함께 올리는 드문 수단 — 고용강화·석출강화· 가공경화는 대개 강도를 올리는 대신 연성과 인성을 깎습니다. 결정립 미세화는 둘을 동시에 올리기 때문에 금속 재료 설계에서 특별한 자리를 차지합니다. 다만 압연·재결정 열처리로 결정립을 잘게 하는 데는 한계가 있고, 고온에 오래 두면 결정립이 다시 자라 이 이득이 사라집니다.
σ₀와 k는 자기 재료의 값을 넣으세요 — 두 상수는 재료·조직·온도마다 다르고 같은 재료라도 문헌마다 값이 갈립니다. 기본값은 계산 흐름을 보이기 위한 예시일 뿐입니다. 온도·변형속도 의존성, 이상 조직, 집합조직, 결정립 크기의 «분포»(여기서는 평균 하나만 씁니다)는 다루지 않습니다.

계산 방법

  1. 1σ₀(결정립 경계와 무관한 몫)와 홀–페치 상수 k를 자기 재료의 값으로 넣습니다.
  2. 2평균 결정립 지름을 µm 단위로 넣습니다.
  3. 3항복강도와 함께 ASTM 결정립도 번호가 나옵니다.
  4. 4목표 항복강도를 넣으면 그것을 내는 데 필요한 결정립 크기를 되돌려 계산합니다.

자주 묻는 질문

σy = σ₀ + k/√d로, 결정립이 잘수록 항복강도가 높아진다는 관계입니다. σ₀는 결정립 경계와 무관한 몫이고 k/√d가 경계가 보태는 몫입니다. 홀과 페치가 1950년대에 각각 발견했습니다.

전위가 결정립계 앞에 줄지어 쌓이는 방식 때문입니다. 소성변형은 전위가 미끄러지며 일어나는데 결정립계가 그것을 막고, 쌓인 전위가 옆 결정립에 응력을 밀어 넣어 항복시킵니다. 쌓이는 전위 수가 결정립 크기에 비례하므로 항복에 필요한 외부 응력이 1/√d로 나옵니다.

강화분 k/√d가 √2 = 1.414배가 됩니다. 항복강도 자체가 1.414배가 되는 것은 아닙니다. σ₀는 그대로 남기 때문에 전체 증가율은 강화분이 차지하는 비중에 달려 있습니다.

강도와 인성을 동시에 올릴 수 있는 드문 수단이기 때문입니다. 고용강화·석출강화·가공경화는 대개 강도를 올리는 대신 연성과 인성을 깎지만, 결정립 미세화는 둘 다 좋아집니다. 그래서 금속 재료 설계에서 특별한 자리를 차지합니다.

아닙니다. 대략 10~20나노미터 아래에서는 오히려 약해지는 역-홀페치가 나타납니다. 결정립이 너무 작으면 전위가 쌓일 자리 자체가 없어져 변형이 결정립계 미끄러짐으로 바뀌기 때문입니다. 그 아래로 식을 외삽하면 안 됩니다.

「100배 배율의 1제곱인치 안에 보이는 결정립 수 = 2^(G−1)」이라는 정의에서 계산합니다. 100배에서 화면 1in²는 시편의 0.064516mm²이므로 단위면적당 결정립 수 N = 2^(G−1)/0.064516이고 평균 지름은 √(1/N)입니다. G가 7이면 31.75µm이며, ASTM E112의 표는 이를 31.8로 반올림해 싣습니다.

자기 재료의 시험값이나 문헌값에서 가져와야 합니다. 두 상수는 재료·조직·온도마다 다르고 같은 재료라도 문헌마다 값이 갈립니다. 이 계산기의 기본값은 계산 흐름을 보이기 위한 예시일 뿐입니다.

전송되지 않습니다. 계산은 모두 브라우저 안에서 이루어지고 넣은 값은 이 기기에만 남습니다.

알아두면 좋은 점

  • σ₀와 k는 예시 기본값입니다. 반드시 자기 재료의 값을 넣으세요.
  • 10~20nm 아래는 역-홀페치 영역이라 이 식으로 외삽하면 안 됩니다.
  • 결정립 크기의 분포는 다루지 않습니다. 평균 지름 하나만 씁니다.
  • 온도·변형속도 의존성, 이상 조직, 집합조직은 범위 밖입니다.
  • ASTM 환산은 E112의 정의(2^(G−1) 개/100배 1in²)에서 계산한 것입니다.
  • 고온에 오래 두면 결정립이 다시 자라 이 강화가 사라집니다.

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마지막 검증: 2026년 9월 2일 · 결과는 참고용 추정치입니다.